可变导通时间高压开关
  • Catalog C8-方波型 Catalog C8-方波型

    推挽式高压开关由两个HTS高压开关采用半桥形式组合而成,可以产生非常完美的高压方波输出。...[查看详细]

  • Catalog C6-IGBT型 Catalog C6-IGBT型

    由数百个IGBT管组合而成,主要应用于大电流(峰值电流KA级别)快速高频切换的科研和工业脉冲电源的应用。C6开关连接简单,恢复时间快,抖动小,寿命长。...[查看详细]

  • Catalog C4-低电阻型 Catalog C4-低电阻型

    采用TrenchFET MOSFET技术,使C4开关导通时的电阻极低,能量损耗小。C4开关的切换速度比典型的功率FET开关略低,但比IGBT开关的速度要高的多;相对于IGBT开关的负温度系数,C4开关的正温...[查看详细]

  • Catalog C3-低耦合电容型 Catalog C3-低耦合电容型

    由于高压和低压控制部分的之间的耦合电容极低,低耦合电容型开关特别适合高频切换,有高的EMC要求的应用。在高dv/dt的条件下,也能保持很好的消噪抗扰的能力,降低系统的EMC/EMI设...[查看详细]

  • Catalog C2-低感抗型 Catalog C2-低感抗型

    低感抗,支持高di/dt,上升沿时间5ns~15ns,下降沿时间20ns~50ns,适用于切换频率不高或中速的高压脉冲电源应用。...[查看详细]

  • Catalog C1-普通型 Catalog C1-普通型

    设计用于常见的高压脉冲开关应用,比如泡克尔斯盒、压电晶体、MCP/SEV脉冲发生器、偏离和加速电场等。控制简单,稳定可靠,抖动时间短,开关精准。开关导通时间由低压触发信号的...[查看详细]

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