Banner
  • GHTS系列-高压方波发生器

    GHTS系列-高压方波发生器TruStability® 高精度高精度硅陶瓷 (HSC) 系列属于压阻式硅压力传感器,能够进行比率式模拟输出或数字输出,从而在指定的满 量程压力和温度范围内读现在联系

  • SiC高压开关

    SiC高压开关是由碳化硅MOSFET组成。相较于传统的硅场效应晶体管的高压开关,可以极大的降低导通时阻抗,大幅降低开关的固有电容,实现更高的切换频率和更好的散热能力。相较传统现在联系

  • FSWP系列-快速方波发生器

    FSWP系列-快速方波发生器内部已集成高压脉冲开关和配套电路,搭配高压直流电源后可直接输出高压脉冲方波。 最大工作电压:5KV~9KV 峰值电流:15A~25A 典型上升沿/下降沿时间:&现在联系

  • FQD系列-Q开关驱动器

    FQD系列-Q开关驱动器FQD Q开关驱动器用于驱动泡克尔斯盒,应用于激光的领域。FQD驱动器是一个可直接与泡克尔斯盒连接来使用的产品,已集成一个BEHLKE的高压脉冲开关和配套的电路现在联系

  • Catalog C8-方波型

    Catalog C8-方波型推挽式高压开关由两个HTS高压开关采用半桥形式组合而成,可以产生非常完美的高压方波输出。现在联系

  • Catalog C6-IGBT型

    Catalog C6-IGBT型由数百个IGBT管组合而成,主要应用于大电流(峰值电流KA级别)快速高频切换的科研和工业脉冲电源的应用。C6开关连接简单,恢复时间快,抖动小,寿命长。现在联系

  • Catalog C4-低电阻型

    Catalog C4-低电阻型采用TrenchFET MOSFET技术,使C4开关导通时的电阻极低,能量损耗小。C4开关的切换速度比典型的功率FET开关略低,但比IGBT开关的速度要高的多;现在联系

  • Catalog C3-低耦合电容型

    Catalog C3-低耦合电容型由于高压和低压控制部分的之间的耦合电容极低,低耦合电容型开关特别适合高频切换,有高的EMC要求的应用。在高dv/dt的条件下,也能保持很好的消噪抗扰的能力,降低现在联系

  • Catalog C2-低感抗型

    Catalog C2-低感抗型低感抗,支持高di/dt,上升沿时间5ns~15ns,下降沿时间20ns~50ns,适用于切换频率不高或中速的高压脉冲电源应用。现在联系

  • Catalog C1-普通型

    Catalog C1-普通型设计用于常见的高压脉冲开关应用,比如泡克尔斯盒、压电晶体、MCP/SEV脉冲发生器、偏离和加速电场等。控制简单,稳定可靠,抖动时间短,开关准。开关导通时间由低压现在联系

  • Catalog B4-低电阻型

    Catalog B4-低电阻型联系电话:86-21-3892-0246现在联系

  • Catalog B3-超快型

    Catalog B3-超快型BEHLKE开关中速度快的高压开关,上升沿时间快小于1ns。低感抗的特性使它能被适用于高di/dt的场景。插针式封装,可焊接于PCB上。现在联系

首页 上一页 12 下一页 末页 1/2