SiC高压开关是由碳化硅MOSFET组成。相较于传统的硅场效应晶体管的高压开关，可以极大的降低导通时阻抗，大幅降低开关的固有电容，实现更高的切换频率和更好的散热能力。相较传统现在联系
空速计TruStability® 高精度高精度硅陶瓷 (HSC) 系列属于压阻式硅压力传感器，空速计能够进行比率式模拟输出或数字输出，从而在指定的满 量程压力和温度范围内读出压力。现在联系
FSWP系列-快速方波发生器内部已集成高压脉冲开关和配套电路，搭配高压直流电源后可直接输出高压脉冲方波。 最大工作电压：5KV~9KV 峰值电流：15A~25A 典型上升沿/下降沿时间：&现在联系
FQD系列-Q开关驱动器FQD Q开关驱动器用于驱动泡克尔斯盒，应用于激光的领域。FQD驱动器是一个可直接与泡克尔斯盒连接来使用的产品，已集成一个BEHLKE的高压脉冲开关和配套的电路现在联系
Catalog C8-方波型推挽式高压开关由两个HTS高压开关采用半桥形式组合而成，可以产生非常完美的高压方波输出。现在联系
Catalog C6-IGBT型由数百个IGBT管组合而成，主要应用于大电流（峰值电流KA级别）快速高频切换的科研和工业脉冲电源的应用。C6开关连接简单，恢复时间快，抖动小，寿命长。现在联系
Catalog C4-低电阻型采用TrenchFET MOSFET技术，使C4开关导通时的电阻极低，能量损耗小。C4开关的切换速度比典型的功率FET开关略低，但比IGBT开关的速度要高的多；现在联系
Catalog C3-低耦合电容型由于高压和低压控制部分的之间的耦合电容极低，低耦合电容型开关特别适合高频切换，有高的EMC要求的应用。在高dv/dt的条件下，也能保持很好的消噪抗扰的能力，降低现在联系
Catalog C2-低感抗型低感抗，支持高di/dt，上升沿时间5ns~15ns，下降沿时间20ns~50ns，适用于切换频率不高或中速的高压脉冲电源应用。现在联系
Catalog C1-普通型设计用于常见的高压脉冲开关应用，比如泡克尔斯盒、压电晶体、MCP/SEV脉冲发生器、偏离和加速电场等。控制简单，稳定可靠，抖动时间短，开关准。开关导通时间由低压现在联系
Catalog B4-低电阻型联系电话：86-21-3892-0246现在联系
